Взаємодія InP і GaN з радикалами газової фази

Дипломна робота: 80 стор., 16 рис., 1 табл., 25 джерел, 2006 р. Досліджувалася взаємодія фосфіду індію і нітриду галію з радикалами газової фази. Мета роботи: дослідити вплив радикалів газової фази на тип фiзико-хiмiчних процесів, що призводять до зміни складу приповерхневих шарів фосфіду iндiю та нітриду галію. За допомогою установки СОМ 1 було досліджено вплив радикалів газової фази на склад при поверхневих шарів фосфіду індію та розглянуто вплив часток газової фази на поверхню нітриду галію. Встановлено, що при взаємодії з радикалами газової фази фосфіду індію, на його поверхні відбувається селективне травлення, а нітрид галію при взаємодії продовжує свій ріст. Вступ 1 Об’ємні та поверхневі властивості InP і GaN 1.1 Характеристика найбiльш важливих сполук А3В5 1.2 Кристалічна структура 1.3 Хiмiчний зв’язок 1.4 Зонна структура 1.5 Електричні властивості 2 Взаємодiя атомарно чистих i реальних поверхонь InP i GaN з частинками газової фази 2.1 Основні зміни складу конденсованих фаз у системі 2.2 Мас-спектрометричні дослідження впливу атомарного водню на процес декомпозиції фосфіду індію 2.3 Вивчення ролі атомарного водню в процесі збагачення приповерхневих шарів киснем 2.4 Нітридизація арсеніду галію 2.4.1 Структура й склад плівок нітриду галію, отриманих шляхом обробки монокристалів арсеніду галію в атомарному азоті 3 Термiчне розкладання i обробка в атомарному воднi iз газового розряду InP i GaN 3.1 Водень, що використовувався та особливості його атомізації 3.2 Експериментальна установка 3.3 Проведення експерименту та цого результати 4 Охорона працi Висновки Перелік посилань Эту работу можно заказать здесь Стоимость работы - 100 у.е. Скачать список всех работ Посмотреть другие рефераты по физике