Формування невипрямляючого контакту на межі розділу Сu-Si

Дипломна робота: 50 стор., 10 рис., 12 таблиць, 19 джерел, 2006 р. Вступ 1 Літературний огляд 1.1 Робота виходу 1.2 Контакт метал-напівпровідник 1.3 Випрямлення на контакті метал-напівпровідник 1.4 Діодна теорія випрямлення 1.5 Дифузійна теорія випрямлення 1.6 Хімічний бар’єрний шар 1.7 Поверхнево-інверсійні переходи 2 Методи дослідження 2.1 Методи очищення підкладки 2.1.1 Очищення розчинниками 2.1.2 Очищення підкладок нагріванням 2.2 Методи нанесення плівок у вакуумі 3 Результати і їх обговорення 4 Охорона праці Висновки Перелік посилань Эту работу можно заказать здесь Стоимость работы - 50 у.е. В роботі досліджувалися фізичні процеси та оптимальні умови створення невипрямляючих контактів на межі розділу Cu-Si. Об’єкт дослідження: мідна плівка нанесена в умовах високого вакууму на кремнієві підкладки нагріті перед напиленням до температур 300°С, 500°С, 650°С. Мета: відпрацювати технологію нанесення плівки при різних температурах нагрівання та відпалу підкладки, проаналізувати результати дослідів по вимірам електрофізичних параметрів та знайти найбільш оптимальний метод отримання невипрямляючих контактів на межі розділу Cu-Si. В результаті була розроблена технологія проведення експериментів. Вона складається з трьох етапів які виконуються один за одним: - очистка зразків у розчинах перекису водню та фтористоводневої кислоти, причому перекис водню має бути доведений до температури кипіння; - очистка вакуумним відпалом: зразки після розміщення у робочій камері та її відкачки до рівня високого вакууму слід нагрівати до температури 650°С; - напилення плівки починається після відкачування з камери газових часток, які десорбують з оточуючих стінок та деталей і можуть попасти на зразок. Процес напилення має відбуватися при температурі 200°С. Використовуючи цю технологію отримано невипрямляючий контакт на межі розділу Cu-Si. Скачать список всех работ Посмотреть другие рефераты по физике